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2011.07.30

D-0042. 差分解析とストレス解析のご紹介 — FN

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差分解析とストレス解析のご紹介

発行:エスオーエル株式会社
http://www.sol-j.co.jp/

連載「知って得する干渉計測定技術!」
2011年7月30日号 VOL.042

平素は格別のお引き立てを賜り、厚く御礼申し上げます。
干渉計による精密測定やアプリケーション開発情報などをテーマに、
無料にてメールマガジンを配信いたしております。

◆◇◆◇◆◇◆◇◆◇◆◇◆◇◆◇◆◇◆◇◆◇◆◇◆◇◆◇◆◇



皆様、こんにちは!

(( メルマガ登録会員の皆さまは、エスオーエル名物「○○○ごと」をご覧頂けます! ))


今回のメルマガは、弊社の平面度測定機『Flat Master』の
解析機能の【差分解析】と【ストレス解析】についてご紹介したい
と思います。



** 差分解析について **

加工前後のサンプルの形状から、どの部分がより変化しているかを
見る事ができます。加工後及び加工前の平面度"Flatness(SORI)"
測定データの位置を一致させてデータの差し引きを行います。

ピクセル単位での全データから変化量の最高点と最低点の絶対値の
和を『変形量TIR』として解析します。

この時、気を付けなければならないのが、基準平面です。測定する
側のサンプル面を加工前後で統一しないと、差分解析しても意味が
無くなってしまいます!



** ストレス解析について **

弊社の平面度測定機は、ウェーハで使用されるSiやGaAsなどの全て
の脆性材質で成膜プロセスによるストレスを平面度のデータをもと
にストレス測定・解析する事が可能です。


◎ 測定原理 ◎

 1) 成膜プロセス前後のウェーハ全面の平面度"Flatness(SORI)"
   測定を行い、SAGを求めます。

 2) 成膜プロセス前後の各SAG値の差を求め、次式により
   応力(ストレス)を算出します。

   Stress = E × SagD × Tw^2 /{ 3 × Tf × (1-ν) × L^2 }

     Stress :応力(dynes / cm^2)
     SagD  :SAGの差(μm)
     Tw   :ウェーハの厚み(μm)
     Tf   :膜厚(μm)
     L    :waferの半径(μm)
     E    :ヤング率(dynes/cm^2)
     ν   :ポアソン比

   となります。


SAGとは平面度測定値に球面の式を最小二乗法にて当てはめ、球面の
Centerからその端面までの距離を言います。

ストレス解析は、
  ① 上記の項目が明確である事。
  ② 均一に成膜されている事。
  ③ SORIが全面で見れている事。
この3項目が条件となります。

成膜前後の差分解析やストレス解析に興味が御座いましたら、
是非弊社までご連絡下さい!

サンプル測定やデモ測定もお引き受けしております。ではまた来月!!


--
F.N

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