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2026.10.02

F-00014.パワー半導体の動向とICSCRM 2026の御礼

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    パワー半導体の動向とICSCRM 2026の御礼

   「営業おたより ~業界ニュースまとめ~」
    2026年10月02日号 VOL.F-00014
    https://a13.hm-f.jp/cc.php?t=M807305&c=6593&d=ab05
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本日最終日を迎えるICSCRM 2026にて、
弊社ブースへお立ち寄りいただいた皆さま、誠にありがとうございます。

今月もSiCをはじめとするパワーデバイスに関する最新ニュースをご紹介します。

今回は、SiC基板の300mm化に向けた国内メーカーの開発成果と、
GaNパワーデバイス市場の動向を取り上げました。

SiC基板は8インチへの移行が進んでいますが、
その先を見据えた大口径化の取り組みも始まっています。


○レゾナックが300mm SiC単結晶基板を開発(EE Times Japan)
 https://a13.hm-f.jp/cc.php?t=M807306&c=6593&d=ab05

○住友金属鉱山、「世界初」300mm貼り合わせSiC基板開発(EE Times Japan) 
 https://a13.hm-f.jp/cc.php?t=M807307&c=6593&d=ab05

○GaN市場でInfineonが5位から2位に急浮上 AIが変える勢力図(EE Times Japan)
 https://a13.hm-f.jp/cc.php?t=M807308&c=6593&d=ab05

今後も半導体市場や関連技術の動向について、
注目のトピックスをお届けしてまいります。


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