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SiC Wafer関連のお客様へ Tropelウェブセミナーのご案内

発行：エスオーエル株式会社
https://www.sol-j.co.jp/

連載「高鍋鮎美の三次元測定機って何なの？？」
2020年8月5日号　VOL.088

平素は格別のお引き立てを賜り、厚く御礼申し上げます。
X線CTスキャンによる精密測定やアプリケーション開発情報などをテーマに、
無料にてメールマガジンを配信いたしております。

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こんにちは。営業の高鍋鮎美です。


今回のメルマガではウェブセミナーのご案内をさせて頂きます。


平面度測定機メーカーのCorningTropel社が、
「SiCウェーハにおけるHoop Stress」という内容で9月に開催します。


今回初めての試みとなりますが、
もともとは学会で発表する予定のテーマだったそうで、
新型コロナウイルスにより学会がキャンセルになってしまった為、
ウェブセミナーという形でお届けすることになりました。


ご参加には、事前登録が必要となりますので、
お手数ですがご希望の方は、以下の手順に沿ってご登録をお願いします。




■日時：2020/9/15 午前10時～（日本時間）

■事前登録先リンク：https://cvent.me/WLdQoa?RefId=LinkedIn



■講演者：CorningTropelエンジニア 

■言語：英語


■議題：
　Hoop Stress of 6 inch SiC Wafers Analyzed Using Full Surface Metrology

■概要：
　You are invited to a webinar hosted by Corning Incorporated,
  Hoop Stress of 6 inch SiC Wafers Analyzed Using Full Surface Metrology.

　The quality of the SiC substrate is crucial for high-quality chip manufacturing.
　As of right now, a major portion of the cost of SiC devices still translates 
　from the substrate. Manufactures that will be able to fabricate 6 inch and 8 inch
  SiC substrates with low stress and high flatness would have better chances to 
  capture larger share in the power device market. 

  However, larger diameter SiC substrates are prone to structural crystal growth
  defects and residual sub-surface damages from the manufacturing processes.
  Both factors would cause wafers to have excessive bow values. 

  In this webinar, Corning Tropel Applications Engineer Olga Sachkouskaya will
  discuss characteristic bending behavior of thin 6 inch SiC wafers that can’t 
  be explained by gravity alone. 

  Please join our webinar to discover how the Tropel Ultrasort II ultra-fast
  full surface metrology system can help in measuring and controlling SiC substrate
  manufacturing processes.

 
  Sincerely,
  Corning Metrology Instruments




ご参加やご登録にあたって、何かご不明な点などありましたら、
本メール返信または弊社へお電話にて、ご連絡を頂ければ幸いです。


今週も最後までお読み頂きありがとうございました。


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A.T